SI4425DDY-T1-GE3
库存数量:1,894
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
RoHS:无铅 / 符合
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价格行情(美元)
价格 单价 总价
1 1.01000 1.01
25 0.78200 19.55
100 0.69000 69.00
250 0.59800 149.50
500 0.50600 253.00
1,000 0.40250 402.50
相关资料
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单 描述 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
标准包装 1 系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 19.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 9.8 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2610pF @ 15V
功率 - 最大 5.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI4425DDY-T1-GE3CT
SI4425DDY-T1-GE3 同类产品
型号 APTCV60HM45RT3G 数量 10
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Microsemi Power Products Group 描述 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
标准包装 1 系列 -
IGBT 类型 沟道和场截止
配置 全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开) 1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 50A
电流 - 集电极截止(最大) 250µA
Vce 时的输入电容 (Cies) 3.15nF @ 25V
功率 - 最大 250W
输入 单相桥式整流器
NTC 热敏电阻
安装类型 *
封装/外壳 *
供应商设备封装 *
型号 APTGV50H120T3G 数量 9
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Microsemi Power Products Group 描述 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
标准包装 1 系列 NPT & Trench + Field Stop®
IGBT 类型 NPT、沟道和场截止
配置 全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开) 2.1V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 75A
电流 - 集电极截止(最大) 250µA
Vce 时的输入电容 (Cies) 3.6nF @ 25V
功率 - 最大 270W
输入 标准
NTC 热敏电阻
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP3
供应商设备封装 SP3
型号 AML51-A30W 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Honeywell Sensing and Control 描述 AML51 BUTTON FOR SWES/INDICATORS
标准包装 1 系列 *
型号 HMS 05-P 数量 10
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 LEM USA Inc 描述 SENSOR CURRENT 5A 5V UNI SMD
产品培训???/td> HMS Series Open Loop Surface Mount Current Transducers
产品目录绘图 HMS(05,10,15,20)-P Side
HMS(05,10,15,20)-P Bottom
标准包装 1 系列 HMS
电流 - 感应 5A
精确度 ±1%
灵敏度 -
电流 - 电源 19mA
传感器类型 开环霍尔效应
电源电压 5V
输出 -
频率 50kHz
响应时间 5µs
电极标记 双向
工作温度 -40°C ~ 85°C
封装/外壳 圆形 - 0.02"(0.51mm)
包装 散装
产品目录页面 2809 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 398-1058
型号 APT60GF120JRDQ3 数量 16
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Microsemi Power Products Group 描述 IGBT 1200V 149A 625W SOT227
产品目录绘图 SOT-227 Top
标准包装 10
系列 - IGBT 类型 NPT
配置 单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开) 3V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 149A
电流 - 集电极截止(最大) 350µA
Vce 时的输入电容 (Cies) 7.08nF @ 25V
功率 - 最大 625W
输入 标准
NTC 热敏电阻
安装类型 底座安装
封装/外壳 ISOTOP
供应商设备封装 ISOTOP?
产品目录页面 1633 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 APT60GF120JRDQ3MI
APT60GF120JRDQ3MI-ND
型号 HX 25-P 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 LEM USA Inc 描述 SENSOR CURR 25A -/+15V MOD
标准包装 50 系列 HX
电流 - 感应 25A
精确度 <±1%
灵敏度 -
电流 - 电源 <±15mA
传感器类型 开环霍尔效应
电源电压 -15 V ~ 15 V
输出 ±4V
频率 50kHz
响应时间 <3µs
电极标记 双向
工作温度 -25°C ~ 85°C
封装/外壳 ???br>
包装 散装
其它名称 Q4595387B
型号 4741-24-0 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Pomona Electronics 描述 CORD .025 SQ PIN RCPT 24" BLACK
标准包装 5 系列 4741
配置 插口至插口
第一连接器 插口,方形,0.025"(0.635mm)
第二连接器 插口,方形,0.025"(0.635mm)
线缆长度 24.0"(609.60mm)
所含物品 1 根引线,黑
材料 - 绝缘体 聚氯乙烯(PVC)
线规 22 AWG
电压 - 额定 45VAC
额定电流 3A
温度范围 122°F(50°C)
型号 T70RIA100 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Vishay Semiconductors 描述 SCR PHASE CONT 1000V 70A D-55
标准包装 10 系列 -
结构 单一
SCR 数目,二极管 1 SCR
电压 - 断路 1000V
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 120mA
电流 - 导通状态 (It (AV))(最大) 70A
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 110A
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 1660A,1740A
电流 - 维持(Ih) 200mA
安装类型 底座安装
封装/外壳 D-55
包装 散装
其它名称 *T70RIA100
型号 T50RIA120 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Vishay Semiconductors 描述 SCR PHASE CONT 1200V 50A D-55
标准包装 10 系列 -
结构 单一
SCR 数目,二极管 1 SCR
电压 - 断路 1200V
电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大) 100mA
电流 - 导通状态 (It (AV))(最大) 50A
电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大) 80A
电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm) 1310A,1370A
电流 - 维持(Ih) 200mA
安装类型 底座安装
封装/外壳 D-55 T ???br>
包装 散装
其它名称 *T50RIA120
VS-T50RIA120
VS-T50RIA120-ND
VST50RIA120
VST50RIA120-ND
型号 APTGF100DA120TG 数量 56
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 FET - 单
制造商 Microsemi Power Products Group 描述 IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
标准包装 1 系列 -
IGBT 类型 NPT
配置 单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开) 3.7V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 135A
电流 - 集电极截止(最大) 350µA
Vce 时的输入电容 (Cies) 6.9nF @ 25V
功率 - 最大 568W
输入 标准
NTC 热敏电阻
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP4
供应商设备封装 SP4
产品目录页面 1633 (CN2011-ZH PDF)
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