北京快三:晶体管 STH175N4F6-2AG MOSFET - 单

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产品信息

STH175N4F6-2AG介绍:
描述 MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 38 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 150W(Tc) H2Pak-2
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMICroelectronics
系列 汽车级,AEC-Q101,STripFET? F6
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7735pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 H2Pak-2
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB


晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一,在重要性方面可以与印刷术,汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。
 
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公司介绍

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