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安徽快三:HYB25D128800AT-6

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全称
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800AT-6 技术参数
  • HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(单线) 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:60 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 线串行 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 产品目录页面:1449 (CN2011-ZH PDF) HY92-12LF 功能描述:RF Directional Coupler General Purpose 880MHz ~ 960MHz 4W 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 制造商:skyworks solutions inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 耦合器类型:标准 频率:880MHz ~ 960MHz 耦合系数:- 应用:通用 插入损耗:0.4dB 功率 - 最大值:4W 隔离:25dB 回波损耗:26dB 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 HYM1000 HYPERLOG30180 HYPERLOG4060 HYPERLOG60100 HYPERLOG7025 HYPERLOG7060 HYS64T128021HDL-3S-B HYS72T128000HR-3S-B HYS72T128420HFA-3S-B HYT100 HYT100D HYT15CME HYT30CME HYT50 HYT50CME HYX1 HYX2 HYX3
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